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Everspin、150万IOPSの超高速ST-MRAMストレージアクセラレータを投入

nvNITRO Accelerator Card

 米Everspin Technologiesは8日(現地時間)、ST-MRAM(スピン注入型磁気抵抗メモリ)を採用した拡張カード型ストレージアクセラレータ「nvNITRO Accelerator Card」を発表した。

 PCI Express 3.0インターフェイスを採用したHHHL(Half Height Half Length)の拡張カードで、256MbitのDDR3 ST-MRAMを実装。容量1GBの「nvNITRO ES1GB」と、容量2GBの「nvNITRO ES2GB」をラインナップする。登場時期は今年(2017年)の第2四半期。

 150万IOPSでの動作を可能としており、レイテンシは6ms。MRAMのため、DRAMと違い常時通電の必要がなく、バッテリなどを使ったフェイルセーフ機能が不要。リード/ライトによる性能の劣化も起きないとしている。頻繁にデータのやり取りが行なわれる金融システムやデータベースなどの扱いに好適という。アクセス方式として、NVMe SSDとMMIO(Memory Mapped Input/Output)の2種類を用意した。

 また、今年後半に1Gbit DDR ST-MRAMを実装したモデルも登場予定で、容量は4GBから16GBまで拡張される。このほかにも、M.2やU.2フォームファクタを採用した512MBから8GB容量の製品も年内中にリリースする。