パワーMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)では、シングルイベントゲートラプチャー現象と呼ばれるデバイス中のゲート酸化膜が破壊を起こす現象が ...

に大電流が流れ、焼損すること。 シングルイベントゲートラプチャー (SEGR：Single Event Gate Rupture). 荷電粒子の入射によりFETのゲートに電流が流れ焼損すること. 総 ...

(2) SEGR (Single Event Gate Rupture： シングルイベントゲートラプチャー). バイアス電圧を印加した状態において、陽子あるいは重粒子の入射により MOSFET の. ゲート ...

2014/08/11 · で引き起こされるシングルイベントバーンアウト. （SEB）やシングルイベントゲートラプチャー. （SEGR）等が知られている。今回、蓄積リングト ...

総照射線量 (TID) 耐性 = 100krad (Si) · シングル・イベント効果 (SEE) の特性 · シングル・チャネル eFuse を内蔵 · 入力電圧範囲：4.5V～14V · 低いオン抵抗 (RON)：25℃、 ...

2012/11/12 · (2) SEGR (Single Event Gate Rupture： シングルイベントゲートラプチャー). バイアス電圧を印加した状態において、陽子あるいは重粒子の入射により ...

破壊を招く SEL のほかに、SEGR（シングルイベントゲートラプチャー）と SEB（シングルイベントバーンアウ. ト）も、電源とグランド間に突然低インピーダンス経路が発生 ...

... シングルイベントバーンアウトやシング. ルイベントゲートラプチャー）そして、ほんの少しの研究がVDMOSFETのトータルドーズ効果の調. 査で実施された[4]-[7]。パワー ...

シングル イベント ラッチアップ (SEL)、シングル イベント バーンアウト (SEB)、シングル イベント ゲート ラプチャー (SEGR) 耐性：LET = 75MeV-cm2/mg; SEFI/SET ...