ウェーハ表面の凹凸をなくし、平坦度の高い鏡面仕上げを行うため、コロイダルシリカ液を用いてメカノケミカル研磨が施されます。

ポリッシングはシリコン研磨ウェハ製造工程の実質的な最終工程で、結晶特性以外の重要な品質特性はほとんどこの工程で決まってしまう。この工程では、ウェハ表面を鏡面研磨 ...

ポリッシュト・ウェーハをエピタキシャル炉の中で約1200℃まで加熱。炉内に気化した四塩化珪素（SiCl4）、三塩化シラン（トリクロルシラン、SiHCl3）を流すことで、ウェーハ表面 ...

・3テーブルあるポリッシュステージで、中研磨から仕上げ研磨まで6枚を同時研磨。 ・ポリッシュ取り代量の多い再生ウエハや貫通電極(TSV)プロセスにも最適。 ・SPP1200Sは ...

ポリッシュドウエハー生産プロセス​ インゴットとはCZ法・FZ法によって製造されるシリコンの結晶体です。 インゴットをワイヤーソー装置で目標の厚さ、結晶方位の円盤状に ...

シリコン(Si)を研磨パッドによる乾式研磨加工(ドライポリッシング)で加工した結果をご紹介します。乾式研磨加工(ドライポリッシング)は、概ね厚さ数mm以下の平板状の ...

ウェーハの片面あるいは両面を鏡面加工します。 プレート接着. エッチング後のウェーハを鏡面研磨するために、セラミックプレートにウェーハの片面を接着し固定します。

EPW. 鏡面化されたポリッシュドウエハーをエピ炉内で、高周波または赤外線で加熱し、その表面にシリコン層を気相成長させ欠陥のないウエハー表面を形成する行程です。

2022/12/05 · Mipoxのエッジポリッシャーでは、ウェーハエッジ部に付着した、酸化膜などの表層膜の除去が可能です。 各基板に対し、繊細な表層（エピ）膜へ与える負荷を ...

ウェハ研磨（ドライポリッシュ、CMP） ... ウェハの裏面を乾式砥石により、鏡面仕上げすることができます。 破砕層が減少し、抗折強度が高くなり折れにくいチップに加工する ...