〈一般研究課題〉 多重積層量子ドットの量子力学結合効果を. 利用した革新的半導体レーザの実現. 助 成 研 究 者 愛知工業大学 五島 敬史郎. Page 2. － －. 130.

実際，高性能な量子ドットレーザーを実現するためには，. 通常得られる面密度（〜5×1010/cm2）の自己形成量子ドッ. トを 10 層以上積層化する必要があるとされている6)．

料の量子ドットをすべて一定の間隔を開け積層した構造で. ある．一方，独自の積層構造は量子ドットを積層する際 2. 層毎に積層間隔を 40[nm]開けた構造になっている．

ドット間隔はできるだけ小さく、3次元的に整列した多積層量子ドットが必要。 理論 ... 分子線、成長中断法の利用により、量子ドット多積層構造の成長に成功。 JJAP, 49 ...

半導体量子ドットは低次元構造による高効率なデバイスを実現できることに加え、形状制御の自由度を持ちます。われわれはこれに注目して、積層量子ドット成長による擬似 ...

本論文では、RHEED による InAs/GaAs. 量子ドット成長過程の精密な解析について紹介し、量子. ドットの積層成長技術と基礎物性 5-8)、積層量子ドットの偏. 波制御特性 9-13 ...

また、歪エネルギーを成長方向に. 伝搬させることで量子ドットの多層積層（図1）を実現. し、ドットの量子閉じ込め次元を連続的に変化させるこ. とに成功しました。これ ...

QDの積層数を増やすのは、ドッ. トの数を増やして光増幅を高める. ことが目的。 つまりドットを高密度化. することで高利得を実現するのが狙い. だ。高密度化 ...

量子ドット内部の波動関数分布について調査した。 結 果. GaAs(001)基版を用い、InGaAs/GaAs 量子ドット積層構造を 30 層積層した。量子ドット層間バリア層厚は 15nm、.