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IBMがSRAM/DRAM不良の事例を公表 - PC Watch

pc.watch.impress.co.jp › docs › irps04
2006/03/31 · 公表した事例では、不良の原因はいずれもホットキャリアだった。ホットキャリアとは、MOSトランジスタの内部で高電界によってエネルギーを得たキャリア( ...

SRAM/DRAM不良の原因を実際に突き止めた事例(IBMの講演)

plaza.rakuten.co.jp › radical › diary
2006/04/04 · DRAMの不良解析で「不良が発生するまでの期間は、最悪条件で96日だった。実際のデータでは平均すると144日」ってのはかなり具体的。(実際、かなりの ...

IBMってやっぱりすごいかもしれない。 | OPCDiary

opcdiary.net › PC
IBMがSRAM/DRAM不良の事例を公開したようだ。両方とも原因はホットキャリア(本来より高い電荷を持った素子。その部分のスレッショウルドレベルが規定値より高くなって ...

[PDF] 半導体におけるソフトエラーの 発生原理とその評価方法

www-vlsi.es.kit.ac.jp › papers › pdfs
2021/02/19 · • たまたまソフトエラーに脆弱だったIBM社のSRAMを使用. • ソフトエラーは製品の信頼性を低下. 14. 金輪際IBM社の. SRAMは購入し. ない!!! Page 15. 15.

[PDF] 半導体の耐性試験 −加速器によるシングルイベント耐性の実測評価−

www.pasj.jp › cgi-bin › kasokuki
使用された IBM 社製の SRAM が挙げられる．こ. の SRAM は偶然，ソフトエラーに脆弱で，Sun. Microsystems 社 の 当 時 の CEO は，「IBM の. SRAM は金輪際使用しない ...

国際信頼性シンポジウム(IRPS) 2006レポートリンク集 - PC Watch

pc.watch.impress.co.jp › docs › link › irps
IBMがSRAM/DRAM不良の事例を公表 http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2006/0331/irps04.htm. ケータイ電話用フラッシュメモリの不良をNokiaが解析 http://pc.watch ...

[PDF] 第三回QISSシンポジウム 宇宙線によるソフトエラー： 社会的 ...

www.rcnp.osaka-u.ac.jp › ~qiss › pdf
2019/12/07 · 中性子線では寄生バイポーラー効果と呼ばれる故障メカニ. ズムで複数ビットが発生しやすくなった。また確率は小さい. がラッチアップという大電流が流れて ...

2006-03-31 - Electronics Pick-up by Akira Fukuda - はてなブログ

affiliate-with.hatenablog.com › entries
2006/03/31 · 現地レポート第3弾を書きました。・IBMがSRAM/DRAM不良の事例を公表http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2006/0331/irps04.htm …

加速器によるシングルイベント耐性の実測評価 - J-Stage

www.jstage.jst.go.jp › pasj › _pdf › -char
使用された IBM 社製の SRAM が挙げられる．こ. の SRAM は偶然，ソフトエラーに脆弱で，Sun. Microsystems 社 の 当 時 の CEO は，「IBM の. SRAM は金輪際使用しない ...

PCの主記憶メモリ（DRAM）の寿命は，理論上は3億年超え＝半永久的 ...

computer-technology.hateblo.jp › entry
2015/04/03 · 特定のアドレスにだけ書き込みが集中するような使い方をした結果，. 実際に壊れた例もある。 IBMがSRAM/DRAM不良の事例を公表 http://pc.watch.impress.