これらの実現のため，メモリセル構造，回路構成とも従来の半導体メモリとは異なる特徴的. なものとなっている． 本節では NAND フラッシュメモリの特徴について簡単に ...

半導体メモリ － EEPROM, FLASH EEPROMとFLASH 電源 ... EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)」と「 ... EEPROMの基本構造は「FLOTOX(FLOating gate ...

フラッシュ・メモリは，電気的に消去. と書き込みが行え，しかもEPROMと同. じ構造なのでコスト的にも安価に製造す. ることができる半導体メモリです．この. ため，最近 ...

2018/09/07 · 浮遊ゲート構造のメモリセルを使う2D NAND. 半導体メモリ技術に関する国際会議「IMW（International Memory Workshop）」では、カンファレンスの前日に ...

期間: 16:03
投稿: 2021/03/27

MONOS型メモリセルは絶縁性の膜を積層したシンプルな. 構造のため，現在のNANDフラッシュメモリを構成する浮遊. ゲート型メモリセルよりも微細化や3次元化が容易になる。

そこで生まれたのが、平面構造のフラッシュメモリを上に積み上げていくことで、面積あたりのメモリセルの数を増やすという発想でした。建物にたとえるならば、10人しか住め ...

2020/07/17 · フラッシュメモリとは、記憶装置の1つであり、電源を切っても記憶内容が維持される、不揮発性の半導体メモリ・ROM.

2011/04/21 · ... フラッシュメモリのメモリ・セル・アレイ構造 ... NANDフラッシュメモリに限らず半導体メモリのメモリ ... NORフラッシュメモリはNANDフラッシュメモリに ...

フラッシュメモリ, 不揮発性メモリ, NAND型フラッシュメモリ ... Only Memory) などの半導体メモリでは置き換えること ... フラッシュメモリのセル構造は, 図4に示すように, 従.